LM5060MM contrôleur de protection haut niveau

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Contrôleur de Protection LM5060MM. 5.5-65V, faible courant repos. UVLO, OVP réglables. Pilote MOSFET-N. Sécurité fonctionnelle. Auto/industriel.

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Description

Contrôleur de protection haut niveau avec faible courant de repos

Caractéristiques
• Disponible en qualité automobile/AEC Q-100
• Large plage de tension d’entrée de fonctionnement : 5,5 V à 65 V
• Capacité de sécurité fonctionnelle
• Documentation disponible pour faciliter la conception du système de sécurité fonctionnelle
• Courant de repos inférieur à 15 µA en mode désactivé
• Temps de montée de sortie contrôlé pour une connexion sûre des charges capacitives
• Pilote de grille de pompe de charge pour MOSFET externe à canal N
• Verrouillage de sous-tension réglable (UVLO) avec hystérésis
• UVLO Sert de deuxième entrée d’activation pour les systèmes nécessitant une redondance de sécurité
• Délai de détection de défaut programmable
• MOSFET verrouillé après la détection d’un défaut de charge
• Sortie active à faible drain ouvert POWER GOOD (nPGD)
• Protection contre les surtensions d’entrée réglable (OVP)
• Redémarrage immédiat après un arrêt pour surtension
• VSSOP à 10 dérivations

Applications
• Electronique de carrosserie automobile
• Distribution et contrôle d’énergie industrielle

Description
Le contrôleur de protection côté haut LM5060 offre un contrôle intelligent d’un MOSFET canal N côté haut pendant les transitions marche/arrêt normales et les conditions de défaut. Le courant d’appel est contrôlé par le temps de montée presque constant de la tension de sortie. Une sortie POWER GOOD indique lorsque la tension de sortie atteint la tension d’entrée et que le MOSFET est complètement activé. L’entrée UVLO (avec hystérésis) est fournie ainsi que l’entrée programmable OVP. Une entrée d’activation permet un contrôle marche/arrêt à distance. L’entrée UVLO programmable peut être utilisée comme deuxième entrée d’activation pour la redondance de sécurité. Un seul condensateur programme le délai de détection des défauts VGS au démarrage initial, le délai de détection des défauts VDS de transition et le délai de détection des défauts VDS de surintensité continue. Lorsqu’une condition de défaut détectée persiste plus longtemps que le temps de retard de défaut autorisé, le MOSFET est verrouillé jusqu’à ce que l’entrée d’activation ou l’entrée UVLO soit basculée puis haute.

 

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