Transistor à effet de champ en mode d’amélioration du niveau logique du canal P
Informations sur le produit:
VDSS: -40V
ID: -58A
RDS(ON) (mΩ) Max: 16 @ VGS=4.5V, 11.5 @ VGS=10V
26 chemin de la Violette
31240 L'union
Du lundi au vendredi : 10h00 – 16h00
Fermé le samedi et le dimanche